存放位置

9号楼 517 房间

管理员

吴花蕊

仪器简介

该系统为单室结构，主要由溅射真空室、磁控溅射靶、自转基片台、加热系统、直流电源、工作气路、真空获得系统、安装机台、真空测量、控制系统等部分组成，可用于金属薄膜、介质膜等的制备。

技术参数

溅射室极限真空度：≤6.6x10^-5Pa(经烘烤除气后)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10^-7Pa.l/S；

系统从大气开始抽气：溅射室45分钟可达到6.6x10^-4 Pa；

系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；

旋转基片台： 基片尺寸和数量：2英寸样品一次放置1片，小片样品可放多个；基片公转由调速电机驱动，5—10转/分连续可调，转动速度；样品台可加热（室温-600度）

2.1 靶材：靶材尺寸：Φ60；珀金、钛 ；靶在上，向下溅射，具有单独溅射、

轮流溅射、共溅射功能；

应用范围

薄膜材料的制备、陶瓷样品镀电极

收费模式

时间

收费标准

校内：按时间计算200元/小时。

备注